4“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate

Basisinformatie
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 4inch-gaN-Saffier
Min. bestelaantal: 5pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Levertijd: in 30days
Betalingscondities: T/T, Western Union, Paypal
Levering vermogen: 50PCS/Month
substraat: saffierwafeltje laag: GaNmalplaatje
laagdikte: 1-5um geleidingsvermogentype: N/P
Richtlijn: 0001 toepassing: hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten
toepassing 2: de Apparaten van 5G saw/BAW siliciumdikte: 525um/625um/725um
Hoog licht:

5G zag gan malplaatjes

,

4“ ganmalplaatjes

,

Het Substraat van de GaNhalfgeleider

film van de malplaatjesgan van 2inch 4inch 4“ de Saffier gebaseerde GaN op saffiersubstraat

 

Eigenschappen van GaN

 

Chemische eigenschappen van GaN

1) Bij kamertemperatuur, is GaN onoplosbaar in water, zuur en alkali.

2)Opgelost in een hete alkalische oplossing aan een zeer langzaam tarief.

3) NaOH, H2SO4 en H3PO4 kunnen de slechte kwaliteit van GaN snel aantasten, kunnen voor deze opsporing van het het kristaltekort van slechte kwaliteitsgan worden gebruikt.

4) GaN in HCL of de waterstof, bij op hoge temperatuur stelt onstabiele kenmerken voor.

5) GaN is de stabielste onderstikstof.

Elektrische eigenschappen van GaN

1) De elektrische eigenschappen van GaN zijn de belangrijkste factoren die het apparaat beïnvloeden.

2) GaN zonder het smeren was n in alle gevallen, en de elektronenconcentratie van de beste steekproef was over 4* (10^16) /c㎡.

3) Over het algemeen, worden de voorbereide p-steekproeven hoogst gecompenseerd.

Optische eigenschappen van GaN

1) Het brede materiaal van de de samenstellingshalfgeleider van het bandhiaat met hoge bandbreedte (2.3~6.2eV), kan rode geelgroen behandelen, blauw, violet en het ultraviolette spectrum, tot dusver is dat een andere halfgeleidermaterialen niet kunnen bereiken.

2) Hoofdzakelijk gebruikt in blauw en violet licht uitzendend apparaat.

Eigenschappen van GaN Material

1) Het hoge frequentiebezit, komt bij 300G Herz aan. (Si is 10G & is GaAs 80G)

2) Bezit op hoge temperatuur, het Normale werk bij 300℃, zeer geschikt voor ruimte, militair en ander op hoge temperatuur milieu.

3) De elektronenafwijking heeft hoge verzadigingssnelheid, lage diëlektrische constante en goed warmtegeleidingsvermogen.

4) De zure en alkaliweerstand, corrosieweerstand, kan in ruw milieu worden gebruikt.

5) Hoogspanningskenmerken, effectweerstand, hoge betrouwbaarheid.

6) De grote macht, de communicatieapparatuur is zeer enthousiast.

 
Toepassing van GaN

Hoofdgebruik van GaN:

1) lichtgevende dioden, leiden

2) gebiedseffect transistors, FET

3) laserdioden, LD

 
             Specificatie
 
 
C4“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 0aracteristic Specificatie

 

Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie

 

 

     
  GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch
Punt Un-doped N-type

Hoog-gesmeerd

N-type

Grootte (mm) Φ100.0±0.5 (4“)
Substraatstructuur GaN op Saffier (0001)
SurfaceFinished (Norm: SSP Optie: DSP)
Dikte (μm) 4.5±0.5; 20±2; Aangepast
Geleidingstype Un-doped N-type Hoog-gesmeerd n-Type
Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4“)
Dislocatiedichtheid (cm2)
 
≤5×108
Bruikbare Oppervlakte >90%
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu.
 

4“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 1

4“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 24“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 3

Kristalstructuur

Wurtzite

Roosterconstante (Å) a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3) 3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) 800
Smeltpunt (℃) 2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) 320
De energie van het bandhiaat (eV) 6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) 1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm) 11.7

4“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 4

Contactgegevens
Manager

Telefoonnummer : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596