 |
2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | UTI-AlN-100 |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 3pcs |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte |
| Levertijd: | in 30days |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, Paypal |
| Levering vermogen: | 50PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| substraat: | siliciumwafeltje | laag: | AlNmalplaatje |
|---|---|---|---|
| laagdikte: | 200-1000nm | geleidingsvermogentype: | N/P |
| Richtlijn: | 0001 | toepassing: | hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten |
| toepassing 2: | de Apparaten van 5G saw/BAW | siliciumdikte: | 525um/625um/725um |
| Hoog licht: | De Halfgeleidersubstraat van de AlNfilm,Het nitridesubstraat van het AlNaluminium,1000nm het wafeltje van het aluminiumnitride |
||
Productomschrijving
op silicium-Gebaseerde AlN de malplaatjes500nm AlN film van 4inch 6inch op siliciumsubstraat
Toepassingen van AlNmalplaatje
De op silicium-gebaseerde halfgeleidertechnologie heeft zijn grenzen bereikt en niet aan de vereisten van toekomst kunnen voldoen
elektronische apparaten. Als een typisch soort het materiaal van de 3rd/4th-generatiehalfgeleider, heeft het aluminiumnitride (AlN)
superieure fysieke en chemische eigenschappen zoals brede bandgap, hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge ingediende analyse,
de de hoge elektronische mobiliteit en corrosie/stralingsweerstand, en zijn een perfect substraat voor optoelectronic apparaten,
radiofrequentie (rf) apparaten, high-power/met hoge frekwentie elektronische apparaten etc… In het bijzonder, AlN-is het substraat
beste kandidaat voor uv-GELEIDE, UVdetectors, UVlasers, high-power/met hoge frekwentie rf apparaten en 5G SAW/BAW van 5G
apparaten, die wijd in milieubescherming, elektronika, draadloze communicaties, druk konden worden gebruikt,
biologie, gezondheidszorg, militaire en andere gebieden, zoals UVreiniging/sterilisatie, het UV genezen, photocatalysis, coun?
terfeit opsporing, high-density opslag, medische phototherapy, drugontdekking, draadloze en veilige mededeling,
ruimtevaart/diep-ruimteopsporing en andere gebieden.
wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen
AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken
malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten
de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.
Factroy is een innovatief high-tech die bedrijf in 2016 door beroemde Chinese beroeps Overzee van semicon wordt opgericht? de ductorindustrie.
zij concentreren zijn kernzaken bij ontwikkeling en de introductie op de markt van 3rd/4th-soorten? tion ultra-wijd bandgap de substraten van halfgeleideraln,
AlNmalplaatjes, volledig automatische PVT-de groeireactoren en verwante producten en de diensten voor diverse high-tech industrieën.
het is gezien als een globale leider op dit gebied. Onze kernproducten zijn zeer belangrijke die strategiematerialen in „Gemaakt in China worden vermeld“.
zij hebben series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld
vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt
high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten?
bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes, profes te verstrekken te produceren en? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze klanten,
geschikt van het van de groeireactor en hotzone ontwerp, modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,
wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).
Specificatie
Kenmerkende Specificatie
- Model UTI-AlN-100S
- Geleidingsvermogentype C-vliegtuig van het enige kristalwafeltje van Si
- Weerstandsvermogen (Ω) 2500-8000
- AlNstructuur Wurtzite
- Diameter (duim) 4inch
- Substraatdikte (µm) 525 ± 15
- De dikte van de AlNfilm (µm) 500nm
- Richtlijn C-as [0001] +/- 0.2°
- Bruikbaar Gebied ≥95%
- Barsten Niets
- FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
- FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
- Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM) RMS≤6.0
- TTV (µm) ≤7
- Boog (µm) ≤30
- Afwijking (µm) -30~30
- Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren
| Kristalstructuur |
Wurtzite |
| Roosterconstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Het type van geleidingsband | Directe bandgap |
| Dichtheid (g/cm3) | 3.23 |
| Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) | 800 |
| Smeltpunt (℃) | 2750 (bar 10-100 in N2) |
| Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) | 320 |
| De energie van het bandhiaat (eV) | 6.28 |
| Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisch analyseveld (MV/cm) | 11.7 |
Wilt u meer details over dit product weten