2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat

Basisinformatie
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: UTI-AlN-100
Min. bestelaantal: 3pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Levertijd: in 30days
Betalingscondities: T/T, Western Union, Paypal
Levering vermogen: 50PCS/Month
substraat: siliciumwafeltje laag: AlNmalplaatje
laagdikte: 200-1000nm geleidingsvermogentype: N/P
Richtlijn: 0001 toepassing: hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten
toepassing 2: de Apparaten van 5G saw/BAW siliciumdikte: 525um/625um/725um
Hoog licht:

De Halfgeleidersubstraat van de AlNfilm

,

Het nitridesubstraat van het AlNaluminium

,

1000nm het wafeltje van het aluminiumnitride

op silicium-Gebaseerde AlN de malplaatjes500nm AlN film van 4inch 6inch op siliciumsubstraat

 

Toepassingen van   AlNmalplaatje
De op silicium-gebaseerde halfgeleidertechnologie heeft zijn grenzen bereikt en niet aan de vereisten van toekomst kunnen voldoen
elektronische apparaten. Als een typisch soort het materiaal van de 3rd/4th-generatiehalfgeleider, heeft het aluminiumnitride (AlN)
superieure fysieke en chemische eigenschappen zoals brede bandgap, hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge ingediende analyse,
de de hoge elektronische mobiliteit en corrosie/stralingsweerstand, en zijn een perfect substraat voor optoelectronic apparaten,
radiofrequentie (rf) apparaten, high-power/met hoge frekwentie elektronische apparaten etc… In het bijzonder, AlN-is het substraat
beste kandidaat voor uv-GELEIDE, UVdetectors, UVlasers, high-power/met hoge frekwentie rf apparaten en 5G SAW/BAW van 5G
apparaten, die wijd in milieubescherming, elektronika, draadloze communicaties, druk konden worden gebruikt,
biologie, gezondheidszorg, militaire en andere gebieden, zoals UVreiniging/sterilisatie, het UV genezen, photocatalysis, coun?
terfeit opsporing, high-density opslag, medische phototherapy, drugontdekking, draadloze en veilige mededeling,
ruimtevaart/diep-ruimteopsporing en andere gebieden.
wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen
AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken
malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten
de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.
 
Factroy is een innovatief high-tech die bedrijf in 2016 door beroemde Chinese beroeps Overzee van semicon wordt opgericht? de ductorindustrie.
zij concentreren zijn kernzaken bij ontwikkeling en de introductie op de markt van 3rd/4th-soorten? tion ultra-wijd bandgap de substraten van halfgeleideraln,
AlNmalplaatjes, volledig automatische PVT-de groeireactoren en verwante producten en de diensten voor diverse high-tech industrieën.
het is gezien als een globale leider op dit gebied. Onze kernproducten zijn zeer belangrijke die strategiematerialen in „Gemaakt in China worden vermeld“.
  zij hebben series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld
vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt
high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten?
bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes, profes te verstrekken te produceren en? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze klanten,
geschikt van het van de groeireactor en hotzone ontwerp, modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,
wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).
 
             Specificatie
 
Kenmerkende Specificatie
  • Model                                           UTI-AlN-100S
  • Geleidingsvermogentype                       C-vliegtuig van het enige kristalwafeltje van Si
  • Weerstandsvermogen (Ω)                                      2500-8000
  • AlNstructuur                                     Wurtzite
  • Diameter (duim)                                   4inch
  •  
  • Substraatdikte (µm)                     525 ± 15
  • De dikte van de AlNfilm (µm)                      500nm
  •  
  • Richtlijn                                          C-as [0001] +/- 0.2°
  • Bruikbaar Gebied                                          ≥95%
  • Barsten                                                  Niets
  • FWHM-2θXRD@ (0002)                     ≤0.22°
  • FWHM-HRXRD@ (0002)                    ≤1.5°
  • Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM)       RMS≤6.0
  • TTV (µm)                                             ≤7
  • Boog (µm)                                             ≤30
  • Afwijking (µm)                                          -30~30
  • Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren
2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat 0

2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat 1

2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat 22 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat 3

Kristalstructuur

Wurtzite

Roosterconstante (Å) a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3) 3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) 800
Smeltpunt (℃) 2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) 320
De energie van het bandhiaat (eV) 6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) 1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm) 11.7

2 van het het Aluminiumnitride van de duim1000nm AlN Film Silicium Gebaseerd de Halfgeleidersubstraat 4

Contactgegevens
Manager

Telefoonnummer : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596