5x5mmt de Koolstof Optische Lens van het hoge Zuiverheids undoped 4h-semi sic Silicium

Toepassing van sic

Sic is het kristal een belangrijk breed-bandgap-wijd halfgeleidermateriaal. Wegens zijn hoog warmtegeleidingsvermogen, hoog tarief van de elektronenafwijking, hoge sterkte van het analysegebied en stabiele fysieke en chemische eigenschappen, wordt het wijd gebruikt in op hoge temperatuur, in hoge frequentie en hoge machts elektronische apparaten. Er zijn meer dan 200 types van sic kristallen die tot dusver zijn ontdekt. Onder hen, zijn 4H- en 6H-sic de kristallen commercieel geleverd. Zij allen behoren tot de 6mm puntgroep en hebben een second-order niet-lineair optisch effect. Semi-insulating sic kristallen zijn zichtbaar en middelgroot. De infrarode band heeft een hogere overbrenging. Daarom zijn optoelectronic apparaten op sic kristallen worden gebaseerd zeer geschikt voor toepassingen in extreme milieu's zoals op hoge temperatuur en hoge druk die. Semi-insulating 4H-sic kristal is bewezen om een nieuw type van medio-infrarood niet-lineair optisch kristal te zijn. Vergeleken met algemeen gebruikte medio-infrarode niet-lineaire optische kristallen, sic heeft het kristal een breed bandhiaat (3.2eV) wegens het kristal. , Hoog warmtegeleidingsvermogen (490W/m·K) en grote bandenergie (5eV) tussen Si-C, zodat het kristal sic een hoge drempel van de laserschade heeft. Daarom heeft semi-insulating kristal als niet-lineair kristal van de frequentieomzetting 4H-sic duidelijke voordelen in het outputting van high-power medio-infrarode laser. Aldus, op het gebied van high-power lasers, sic is het kristal een niet-lineair optisch kristal met brede toepassingsvooruitzichten. Nochtans, baseerde het huidige onderzoek op de niet-lineaire eigenschappen van sic kristallen en de verwante toepassingen is nog niet volledig. Dit werk neemt de niet-lineaire optische eigenschappen van 4H- en 6H-sic kristallen als belangrijkste onderzoekinhoud, en poogt sommige basisproblemen van kristallen in termen van niet-lineaire optische eigenschappen sic op te lossen, om de toepassing van kristallen op het gebied van niet-lineaire optica sic te bevorderen. Een reeks van het verwante werk is experimenteel uitgevoerd theoretisch en, en de belangrijkste onderzoeksresultaten zijn als volgt: Eerst, worden de fundamentele niet-lineaire optische eigenschappen van sic kristallen bestudeerd. De veranderlijke temperatuurbreking van 4H- en 6H-sic kristallen in de zichtbare en medio-infrarode banden (404.7nm~2325.4nm) werd getest, en de Sellmier-vergelijking van veranderlijke temperatuur r.i werd gepast. De enige oscillator modeltheorie werd gebruikt om de verspreiding van de thermo-optische coëfficiënt te berekenen. Een theoretische verklaring wordt gegeven; de invloed van het thermo-optische effect op de fase aanpassing van 4H- en 6H-sic kristallen wordt bestudeerd. De resultaten tonen aan dat de fase aanpassing van kristallen 4H-SIC niet door temperatuur wordt beïnvloed, terwijl 6H-sic de kristallen nog temperatuurfase geen aanpassing kunnen bereiken. voorwaarde. Bovendien werd de frequentie die factor van semi-insulating kristal 4H-SIC verdubbelen getest door de methode van de Makerrand. Ten tweede, worden de generatie van de femtosecond optische parameter en de versterkingsprestaties van kristal 4H-SIC bestudeerd. De fase, groepssnelheid de aanpassing, de beste niet collineaire hoek en de beste kristallengte die van kristal 4H-SIC gepompt door de laser van 800nm worden femtosecond theoretisch geanalyseerd aanpassen. Het gebruiken van de femtosecondlaser met een golflengte van 800nm-output door Ti: De saffierlaser als pompbron, die optische parametrische versterkingstechnologie gebruiken in twee stadia, die een 3.1mm dik semi-insulating 4H-sic kristal gebruiken als niet-lineair optisch kristal, onder fase 90° die aanpassen, voor het eerst, een medio-infrarode laser met een centrumgolflengte van 3750nm, één enkele impulsenergie tot 17μJ, werd en een impulsbreedte van 70fs experimenteel verkregen. De laser van 532nm wordt femtosecond gebruikt als pomplicht, en die het sic kristal is 90° wordt fase-aangepast om signaallicht met een golflengte van het outputcentrum van 603nm door optische parameters te produceren. Ten derde, worden de spectrale verbredende prestaties van semi-insulating kristal 4H-SIC als niet-lineair optisch middel bestudeerd. De experimentele resultaten tonen aan dat de helft-maximumbreedte van het verbrede spectrum met de kristallengte en het de dichtheidsincident van de lasermacht op het kristal stijgt. De lineaire verhoging kan door het principe van zelf-fasemodulatie worden verklaard, dat hoofdzakelijk door het verschil van r.i van het kristal met de intensiteit van het inherente licht wordt veroorzaakt. Tegelijkertijd, wordt het geanalyseerd dat in de schaal van de femtosecondtijd, niet-lineaire r.i van sic kristal hoofdzakelijk aan de verbindende elektronen in het kristal en de vrije elektronen in de geleidingsband kan worden toegeschreven; en wordt de z-aftasten technologie gebruikt om het kristal onder 532nm-laser sic als voorbereiding te bestuderen. Niet-lineaire absorptie en niet

lineaire r.i-prestaties.

Ongeveer ZMKJ Company

ZMKJ kan verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2-6 duim sic worden geleverd, zowel 4H als 6H, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.