• 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers
  • 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers
  • 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers
  • 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers
  • 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers
9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers

9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 6H-semi

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 10pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1-50pcs/month
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sic enig kristal Hardheid: 9.4
Vorm: aangepaste 40X3x0.33mmt Tolerantie: ±0.1mm
Toepassing: Optisch Type: 6h-n
Weerstandsvermogen: >1E5 Ω Dikte: 0.33mm
Oppervlakte: SSP
Hoog licht:

De optische Wafeltjes van de Siliciumkoolstof

,

9.4 de Koolstofwafeltjes van het hardheidssilicium

,

40x3mmt de Wafeltjes van de siliciumkoolstof

Productomschrijving

 

de 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n van 2inch/3inch/4inch/6inch/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten van het siliciumwafeltjes carbide,

 

40x3mmt aangepaste vorm 6H-semi type sic de koolstofspaanders van het wafeltjessilicium voor optisch

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

1. Beschrijving
 

 

Toepassing van sic in de industrie van het machtsapparaat

 

Vergeleken met siliciumapparaten kunnen de de machtsapparaten, van het siliciumcarbide (sic) hoog rendement, miniaturisatie effectief bereiken en lichtgewicht van machts elektronische systemen. Het energieverlies van sic machtsapparaten is slechts 50% van Si-apparaten, en de hittegeneratie is slechts 50% van siliciumapparaten, heeft sic ook een hogere huidige dichtheid. Op hetzelfde machtsniveau, is het volume van sic machtsmodules beduidend kleiner dan dat van de modules van de siliciummacht. Nemend de intelligente machtsmodule IPM als voorbeeld, sic gebruikend machtsapparaten, kan het modulevolume tot 1/3 tot 2/3 van de modules van de siliciummacht worden verminderd.

 

Er zijn drie types van sic machtsdioden: Schottky-dioden (SBD), de SPELDdioden en de verbindingsbarrière controleerden Schottky-dioden (JBS). Wegens de Schottky-barrière, heeft SBD een lagere hoogte van de verbindingsbarrière, zodat heeft SBD het voordeel van laag voorwaarts voltage. De totstandkoming van sic SBD heeft de toepassingswaaier van SBD van 250V aan 1200V vergroot. Bovendien zijn zijn kenmerken bij op hoge temperatuur goed, de omgekeerde lekkage huidige niet verhogingen van kamertemperatuur aan 175 ° C. Op het inschrijving gebied van gelijkrichters boven 3kV, sic hebben de Speld en sic JBS-de dioden veel aandacht toe te schrijven aan hun hoger analysevoltage, snellere omschakelingssnelheid, kleinere grootte en lichter gewicht dan siliciumgelijkrichters gekregen.

 

Sic machtsmosfet hebben de apparaten ideale poortweerstand, de prestaties van de hoge snelheidsomschakeling, lage op-weerstand, en hoge stabiliteit. Het is het aangewezen apparaat op het gebied van machtsapparaten onder 300V. Er zijn rapporten dat MOSFET van het siliciumcarbide met een het blokkeren voltage van 10kV met succes is ontwikkeld. De onderzoekers geloven dat MOSFETs sic een voordelige positie op het gebied van 3kV - 5kV zullen bezetten.

 

Hebben de sic Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistors (sic BJT, sic IGBT) en sic Thyristor (sic Thyristor), sic p-Type IGBT apparaten met een het blokkeren voltage van 12 kV goed voorwaarts huidig vermogen. Vergeleken met de bipolaire transistors van Si, sic hebben de bipolaire transistors 20-50 keer lager schakelend verliezen en lager de daling van het inschakelenvoltage. Sic is BJT hoofdzakelijk verdeeld in epitaxial zender BJT en de ionenimplantatiezender BJT, de typische huidige aanwinst is tussen 10-50.

 

 

Eigenschappen eenheid Silicium Sic GaN
Bandgapbreedte eV 1.12 3.26 3.41
Analysegebied MV/cm 0,23 2.2 3.3
Elektronenmobiliteit cm^2/Vs 1400 950 1500
Afwijkingsvalocity 10^7 cm/s 1 2.7 2.5
Warmtegeleidingsvermogen W/cmK 1.5 3.8 1.3

 


 

Toepassing van sic in de LEIDENE industrie

 

Momenteel die, is het saffierkristal de eerste keus voor het substraatmateriaal in de optoelectronic apparatenindustrie wordt gebruikt, maar de saffier heeft sommige tekortkomingen die niet, zoals roosterwanverhouding, thermische spanningswanverhouding, hoog weerstandsvermogen als isolatie kunnen worden overwonnen, en slecht warmtegeleidingsvermogen. Daarom hebben de uitstekende kenmerken van sic substraten veel aandacht aangetrokken en geschikter als substraatmaterialen voor galliumnitride (GaN) - gebaseerde lichtgevende dioden (LEDs) en laserdioden geweest (LDs). De gegevens van Cree tonen aan dat kan het gebruik van siliciumcarbide het substraat LEIDENE apparaat het leven van het het onderhoudstarief van 70% licht van zelfs 50.000 uren bereiken. De voordelen van sic als LEIDEN substraat:

 

* Het rooster constant van sic en epitaxial laag van GaN worden aangepast, en de chemische kenmerken zijn compatibel;

* Heeft sic uitstekend warmtegeleidingsvermogen (meer dan 10 keer hoger dan saffier) en dicht bij de thermische uitbreidingscoëfficiënt van epitaxial laag van GaN;

* Sic is een geleidende halfgeleider, die kan worden gebruikt om verticale structuurapparaten te maken. Twee elektroden worden verdeeld op de oppervlakte en de bodem van het apparaat, het kan de diverse die tekortkomingen oplossen door de horizontale structuur van saffiersubstraat worden veroorzaakt;

* Sic vereist geen huidige verspreidingslaag, zal het licht niet geabsorbeerd worden door het materiaal van de huidige verspreidingslaag, die de lichte extractieefficiency verbetert.

4 het duim n-gesmeerde 4H-Wafeltje van het Siliciumcarbide sic

Van het siliciumcarbide (sic) het Substraatspecificatie

Van het het kristalsubstraat van het siliciumcarbide sic het wafeltjecarborundum

De specificatie van 3“ Duim

 

 
Rang Productie Onderzoekrang Proefrang
Diameter 50.8 mm±0.38 mm of andere grootte
Dikte 330 μm±25μm
Wafeltjerichtlijn Op as: <0001> ±0.5° voor 6h-n/4h-si/6h-Si van as: 4.0° toward1120 ±0.5° voor 4h-n/4h-Si
Micropipedichtheid ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50 cm2
Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.028 Ω·cm
  6h-n 0.02~0.1 Ω·cm
  4/6h-Si >1E5 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm
Primaire Vlakte {10-10} ±5.0°
Primaire Vlakke Lengte 22.2 mm±3.2 mm
Secundaire Vlakke Lengte 11.2mm±1.5 mm
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0°
Randuitsluiting 2 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤25μm
Ruwheid Poolse Ra≤1 NM
CMP Ra≤0.5 NM
Barsten door hoge intensiteitslicht Niets toegestane 1, ≤ 1mm 1 toegestaan, ≤2 mm
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht Cumulatieve area≤ 1% Cumulatieve area≤ 1% Cumulatieve area≤ 3%
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht Niets Cumulatieve area≤ 2% Cumulatieve area≤ 5%
Krassen door hoge intensiteitslicht 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 8 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte
Randspaander Niets 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk 5 toegestaan, ≤1 mm elk
Verontreiniging door hoge intensiteitslicht Niets
De productenvertoning toont
9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 19.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 29.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 39.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 49.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 59.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers 6
 

Ongeveer ZMKJ Company

 

ZMKJ kan verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2-6 duim sic worden geleverd, zowel 4H als 6H, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.

 

FAQ:

Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?

A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed

(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en

De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Hoe te betalen?

A: De storting van T/T 100% vóór levering.

 

Q: Wat is uw MOQ?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 1pcs. als is 2-5pcs het beter.

(2) voor aangepaste gemeenschappelijke producten, is MOQ omhoog 10pcs.

 

Q: Wat is de levertijd?

A: (1) voor de standaardproducten

Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.

Voor aangepaste producten: de levering is 2 -4 weken na u ordecontact.

 

Q: Hebt u standaardproducten?

A: Onze standaardproducten in voorraad. zoals als substraten 4inch 0.35mm.

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 9.4 hardheid Optisch sic Chips Silicon Carbon Wafers kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.