 |
Het Galliumarsenide van 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Wafeltje Semi Isolerend GaAs Substraat voor leiden
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | zmkj |
| Modelnummer: | 4inch SEMI |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 5st |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | enig die wafeltje in " plastic doos 6 wordt ingepakt onder N2 |
| Levertijd: | 2-4 weken |
| Betalingscondities: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 500pcs per maand |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | GaAs enig kristal | Grootte: | 4inch |
|---|---|---|---|
| Dikte: | 625um of customzied | VAN type: | VAN Vlakte |
| Richtlijn: | (100) 2°off | Oppervlakte: | DSP |
| de groeimethode: | vFG | ||
| Hoog licht: | wafeltjesubstraat,halfgeleiderwafeltje |
||
Productomschrijving
2inch/3inch het Type van /4inch /6inch s-c-n het Galliumarsenide van semi-isolatie/Si-doped GaAs Wafeltje
Productomschrijving
Onze 2 ' ‚aan 6‘ ‚semi-conducting & semi-insulating GaAs kristal & wafeltje worden wild gebruikt in halfgeleidertoepassing & de LEIDENE algemene verlichtingstoepassing van geïntegreerde schakelingen.
| Eigenschap | Toepassingsgebied |
|---|---|
| Hoge elektronenmobiliteit | Lichtgevende dioden |
| Hoge frequentie | Laserdioden |
| Hoge omzettingsefficiency | Photovoltaic apparaten |
| Lage machtsconsumptie | De hoge Transistor van de Elektronenmobiliteit |
| Direct bandhiaat | Heterojunction Bipolaire Transistor |
Specificaties van semi-conducting GaAs wafeltje
De groeimethode | VGF | |||
Additief | p-type: Zn | n-type: Si | ||
Wafeltjevorm | Ronde (dia: 2“, 3“, 4“, 6“) | |||
Oppervlakterichtlijn * | (100) ±0.5° | |||
* Andere beschikbare Richtlijnen misschien op verzoek | ||||
Additief | Si (n-type) | Zn (p-type) | ||
Dragerconcentratie (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobiliteit (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
Ets Hoogtedichtheid (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Wafeltjediameter (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Dikte (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
[P/E] TTV (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
AFWIJKING (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
VAN (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
VAN/ALS (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Specificaties van semi-insulating GaAs wafeltje
De groeimethode | VGF | |||
Additief | Si-Type: Koolstof | |||
Wafeltjevorm | Ronde (DIA: 2“, 3“, 4“, 6“) | |||
Oppervlakterichtlijn * | (100) ±0.5° | |||
* Andere beschikbare Richtlijnen misschien op verzoek | ||||
Weerstandsvermogen (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
Mobiliteit (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Ets Hoogtedichtheid (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Wafeltjediameter (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Dikte (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
[P/E] TTV (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
AFWIJKING (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
VAN (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | INKEPING |
VAN/ALS (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg
Q: Hoe te betalen?
T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering op Alibaba en etc….
Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-20pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af
Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen detailrapport voor onze producten leveren.
Verpakking – Logistcs
wij betreffen elk detailleren van het pakket, antistatisch schoonmaken, schoktherapie. Volgens de hoeveelheid en de vorm van het product,
wij zullen een verschillend verpakkingsprocédé nemen!