 |
4Inch het Substraat van het siliciumcarbide, Semi sic Wafeltjes van de Hoge Zuiverheids de Eerste Proef Ultrarang 4H-
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | 4 duim - hoge zuiverheid |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1pcs |
|---|---|
| Prijs: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Verpakking Details: | het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte |
| Levertijd: | 1-6weeks |
| Betalingscondities: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 1-50pcs/month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | Sic enig kristal 4h-n type | Rang: | Model/onderzoek de rang van /Production |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 350um of 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Toepassing: | apparatenmaker het oppoetsen test | Diameter: | 100±0.3mm |
| Hoog licht: | het substraat van het siliciumcarbide,silicium op saffier wafeltjes |
||
Productomschrijving
Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm wafeltjes van het enige kristal (sic) substraten van het siliciumcarbide, sic de halfgeleidersubstraten van kristalbaren sic, van het het kristalwafeltje van het Siliciumcarbide de gesneden sic wafeltjes Customzied
Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)
Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.
EIGENSCHAPPEN van Enig Kristal 4H-SIC
- Roosterparameters: a=3.073Å c=10.053Å
- Het stapelen van Opeenvolging: ABCB
- Mohshardheid: ≈9.2
- Dichtheid: 3.21 g/cm3
- Therm. Uitbreidingscoëfficiënt: 4-5×10-6/K
- Brekingsindex: no= 2,61 ne= 2,66
- Diëlektrische Constante: 9.6
- Warmtegeleidingsvermogen: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N-Type, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Warmtegeleidingsvermogen: a~4.9 W/cm·K@298K
- (Semi-insulating) c~3.9 W/cm·K@298K
- Band-Gap: 3.23 eV band-Gap: 3.02 eV
- Opsplitsings Elektrogebied: 3-5×10 6V/m
- De Snelheid van de verzadigingsafwijking: 2.0×105m/
Van het het Siliciumcarbide van de hoge zuiverheids4inch het Substraatspecificatie diameter (sic)
van het het Siliciumcarbide 4 duim van de Diameter Hoge Zuiverheid 4H het Substraatspecificaties
|
SUBSTRAATbezit |
Productierang |
Onderzoekrang |
Proefrang |
|
Diameter |
100,0 mm +0.0/0.5mm |
||
|
Oppervlakterichtlijn |
{0001} ±0.2° |
||
|
Primaire Vlakke Richtlijn |
<11->20> ± 5,0 ̊ |
||
|
Secundaire Vlakke Richtlijn |
90.0 ̊ CW van Primaire ± 5,0 ̊, siliciumgezicht - omhoog |
||
|
Primaire Vlakke Lengte |
32,5 mm ±2.0 mm |
||
|
Secundaire Vlakke Lengte |
18,0 mm ±2.0 mm |
||
|
Wafeltjerand |
Afkanting |
||
|
Micropipedichtheid |
cm2 van ≤5 micropipes/ |
≤10micropipes/-cm2 |
cm2 van ≤50 micropipes/ |
|
Polytypegebieden door licht met hoge intensiteit |
Toegelaten niets |
hetgebiedvan ≤10% |
|
|
Weerstandsvermogen |
≥1E5 Ω·cm |
(gebied 75%) ≥1E5 Ω·cm |
|
|
Dikte |
350.0 μm ± 25,0 μm of 500,0 μm ± 25,0 μm |
||
|
TTV |
≦10μm |
≦15μm |
|
|
Boog (absolute waarde) |
≦25μm |
≦30μm |
|
|
Afwijking |
≦45 μm |
||
|
De oppervlakte eindigt |
Dubbel Zijpools, Si-Gezicht CMP (chemisch product die oppoetsen) |
||
|
Oppervlakteruwheid |
CMP-het Gezicht Ra≤0.5 NM van Si |
N/A |
|
|
Barsten door licht met hoge intensiteit |
Toegelaten niets |
||
|
Randspaanders/paragrafen door diffuse verlichting |
Toegelaten niets |
Qty.2<> de breedte en de diepte van 1,0 mm |
Qty.2<> de breedte en de diepte van 1,0 mm |
|
Totaal bruikbaar gebied |
≥90% |
≥80% |
N/A |
*The andere specificaties kunnen volgens de eisen van de klant worden aangepast
6 hoge duim - - Specificaties van zuiverheids Semi-insulating 4H-sic Substraten
|
Bezit |
U (Ultra) Rang |
P (Productie) Rang |
R (Onderzoek) Rang |
D (Proef) Rang |
|
Diameter |
150.0 mm±0.25 mm |
|||
|
Oppervlakterichtlijn |
{0001} ± 0.2° |
|||
|
Primaire Vlakke Richtlijn |
<11-20> ± 5,0 ̊ |
|||
|
Secundaire vlakke Richtlijn |
N/A |
|||
|
Primaire Vlakke Lengte |
47,5 mm ±1.5 mm |
|||
|
Secundaire vlakke Lengte |
Niets |
|||
|
Wafeltjerand |
Afkanting |
|||
|
Micropipedichtheid |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
|
Polytypegebied door Licht Met hoge intensiteit |
Niets |
≤ 10% |
||
|
Weerstandsvermogen |
≥1E7 Ω·cm |
(gebied 75%) ≥1E7 Ω·cm |
||
|
Dikte |
350.0 μm ± 25,0 μm of 500,0 μm ± 25,0 μm |
|||
|
TTV |
≦10μm |
|||
|
Boog (Absolute Waarde) |
≦40μm |
|||
|
Afwijking |
≦60μm |
|||
|
De oppervlakte eindigt |
C-gezicht: Optische opgepoetst, Si-Gezicht: CMP |
|||
|
Ruwheid (10μm ×10μm) |
CMP-Si-Gezicht Ra<> 0,5 NM |
N/A |
||
|
Barst door Licht Met hoge intensiteit |
Niets |
|||
|
Randspaanders/Paragrafen door Diffuse Verlichting |
Niets |
Qty≤2, de lengte en de breedte van elke<> 1mm |
||
|
Efficiënt Gebied |
≥90% |
≥80% |
N/A |
|
* De tekortengrenzen zijn op volledige wafeltjeoppervlakte van toepassing behalve het gebied van de randuitsluiting. # Zouden de krassen op Si-slechts gezicht moeten worden gecontroleerd.
|
4h-n Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje 4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren 6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren |
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje 2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje |
|
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar |
Customziedgrootte voor 2-6inch
|
Verkoop & Klantenservice
Materialen het Kopen
De materialen die afdeling kopen is verantwoordelijk om alle grondstoffen te verzamelen nodig om uw product te produceren. Volledige traceability van alle producten en materialen, met inbegrip van chemische en fysieke analyse is altijd beschikbaar.
Kwaliteit
Tijdens en na de vervaardiging of het machinaal bewerken van uw producten, is de kwaliteitscontroleafdeling betrokken bij het ervoor zorgen dat alle materialen en tolerantie ontmoeten of uw specificatie overschrijden.
De dienst
Wij pride in het hebben van het personeel van de verkooptechniek met meer dan 5 jaar ervaringen in de halfgeleiderindustrie. Zij worden opgeleid om technische vragen te beantwoorden evenals geschikte citaten te verstrekken voor uw behoeften.
wij zijn aan uw kant door wanneer wanneer u probleem, hebt en het in 10hours oplost.