 |
4“ van de de Productie de Eerste Rang van Silicium op Saffier Wafeltjes n-Gesmeerde sic Wafeltjes 4H
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | 4inch-p-Rang |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1pcs |
|---|---|
| Prijs: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Verpakking Details: | het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte |
| Levertijd: | 1-6weeks |
| Betalingscondities: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 1-50pcs/month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | Sic enig kristal 4h-n type | Rang: | Model/onderzoek de rang van /Production |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 350um of 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Toepassing: | apparatenmaker het oppoetsen test | Diameter van: | 100±0.3mm |
| Hoog licht: | het substraat van het siliciumcarbide,sic wafeltje |
||
Productomschrijving
4h-n het Testen rang6inch dia 150mm wafeltjes van het enige kristal (sic) substraten van het siliciumcarbide, sic de halfgeleidersubstraten van kristalbaren sic, van het het kristalwafeltje van het Siliciumcarbide de gesneden sic wafeltjes Customzied
Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)
Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs
van het het Carbide (sic) Substraat 4 duim van het diameter de Specificatie Silicium
|
Rang |
Nul MPD-Productierang (Z-Rang) |
Productierang (P-Rang) |
Proefrang (de Rang van D) |
|
|
Diameter |
99.5-100 mm |
|||
|
Dikte |
4h-n |
350 μm±25μm |
||
|
4h-Si |
500 μm±25μm |
|||
|
Wafeltjerichtlijn |
Van as: 4.0°toward<> 1120 > ±0.5° voor 4h-n op as: <0001>±0.5° voor 4h-Si |
|||
|
Micropipedichtheid |
4h-n |
≤0.5cm-2 |
≤2cm2 |
≤15cm2 |
|
4h-Si |
≤1cm-2 |
≤5cm2 |
≤15cm2 |
|
|
Weerstandsvermogen |
4h-n |
0.015~0.025 Ω·cm |
0.015~0.028 Ω·cm |
|
|
4h-Si |
≥1E7Ω·cm |
≥1E5Ω·cm |
||
|
Primaire Vlakte |
{10-10} ±5.0° |
|||
|
Primaire Vlakke Lengte |
32.5 mm±2.0 mm |
|||
|
Secundaire Vlakke Lengte |
18.0mm±2.0 mm |
|||
|
Secundaire Vlakke Richtlijn |
Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0° |
|||
|
Randuitsluiting |
2 mm |
|||
|
LTV/TTV/Bow /Warp |
≤4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm |
≤10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm |
||
|
Ruwheid |
Pools Ra ≤1NM |
|||
|
CMP-Ra ≤0,5NM |
||||
|
Barsten door hoge intensiteitslicht |
Niets |
Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm |
||
|
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht |
Cumulatief gebied ≤0,05% |
Cumulatief gebied ≤0,1% |
||
|
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht |
Niets |
Cumulatief gebied ≤3% |
||
|
Visuele Koolstofopneming |
Cumulatief gebied ≤0,05% |
Cumulatief gebied ≤3% |
||
|
Krassen door hoge intensiteitslicht |
Niets |
De cumulatieve diameter van lengte≤1×wafer |
||
|
Randspaander |
Niets |
elk toegestane 5, ≤1mm |
||
|
Verontreiniging door hoge intensiteitslicht |
Niets |
|||
|
Verpakking |
Multi-wafeltjecassette of Enige Wafeltjecontainer |
|||
Nota's:
* De tekortengrenzen zijn op volledige wafeltjeoppervlakte van toepassing behalve het gebied van de randuitsluiting. # Zouden de krassen op Si-slechts gezicht moeten worden gecontroleerd.
|
4h-n Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje 4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren 6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren |
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje 2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje |
|
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar |
Customziedgrootte voor 2-6inch
|
Verkoop & Klantenservice
Materialen het Kopen
De materialen die afdeling kopen is verantwoordelijk om alle grondstoffen te verzamelen nodig om uw product te produceren. Volledige traceability van alle producten en materialen, met inbegrip van chemische en fysieke analyse is altijd beschikbaar.
Kwaliteit
Tijdens en na de vervaardiging of het machinaal bewerken van uw producten, is de kwaliteitscontroleafdeling betrokken bij het ervoor zorgen dat alle materialen en tolerantie ontmoeten of uw specificatie overschrijden.
De dienst
Wij pride in het hebben van het personeel van de verkooptechniek met meer dan 5 jaar ervaringen in de halfgeleiderindustrie. Zij worden opgeleid om technische vragen te beantwoorden evenals geschikte citaten te verstrekken voor uw behoeften.
wij zijn aan uw kant door wanneer wanneer u probleem, hebt en het in 10hours oplost.