• 2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED
  • 2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED
  • 2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED
  • 2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED
2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED

2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmkj
Modelnummer: GaAs-n-4inch

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5st
Prijs: 100-200usd/pcs
Verpakking Details: in het geval van het enige of 25pcs-cassettewafeltje door vacuümverpakking
Levertijd: 2-4 weken
Betalingscondities: T / T, Western Union
Levering vermogen: 2000pcs per maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: GaAs Kristal Methode: VGF
Grootte: 4inch dia100mm Thickess: 380um
Oppervlakte: DSP Toepassing: geleid, LD-Apparaat
Hoog licht:

gasb substraat

,

halfgeleiderwafeltje

Productomschrijving

 
 
Het n-Type 2inch/3inch, 4inch, GaAs van 6inch dia150mm Galliumarsenide Wafeltjes n-Type van VFG metod
Semi-insulating type voor Micro-elektronica,
 
-
(GaAs) Galliumarsenide Wafeltjes
Galliumarsenide (GaAs) is een samenstelling van het het elementengallium en arsenicum. Het is een IIIV directe bandgaphalfgeleider
met een het kristalstructuur van de Zinkblende.
Galliumarsenide wordt gebruikt in de vervaardiging van apparaten zoals de geïntegreerde schakelingen monolithische van de microgolffrequentie,
microgolfgeïntegreerde schakelingen, infrarode lichtgevende dioden, laserdioden, zonnecellen en optische vensters. [2]
 
GaAs wordt vaak gebruikt als substraatmateriaal voor de epitaxial groei van andere IIIV halfgeleiders met inbegrip van arsenide van het indiumgallium,
arsenide van het aluminiumgallium en anderen.
 
.
GaAs Wafeltjeeigenschap en Toepassing

EigenschapToepassingsgebied
Hoge elektronenmobiliteitLichtgevende dioden
Hoge frequentieLaserdioden
Hoge omzettingsefficiencyPhotovoltaic apparaten
Lage machtsconsumptieDe hoge Transistor van de Elektronenmobiliteit
Direct bandhiaatHeterojunction Bipolaire Transistor

 
2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED 0
2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED 1
Specificatie
Undoped GaAs
Semi-Insulating GaAs Specificaties
 

De groeimethodeVGF
AdditiefKoolstof
Wafeltje Shape*Ronde (DIA: 2“, 3“, 4“, en 6“)
Oppervlakterichtlijn **(100) ±0.5°

*5“ op verzoek beschikbare Wafeltjes
** Andere beschikbare Richtlijnen misschien op verzoek
 

Weerstandsvermogen (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobiliteit (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Ets Hoogtedichtheid (cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Wafeltjediameter (mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Dikte (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
[P/E] TTV (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
AFWIJKING (µm)≤10≤10≤10≤5
VAN (mm)17±122±132.5±1INKEPING
VAN/ALS (mm)7±112±118±1N/A
Polish*P/E E/E, P/PP/E E/E, P/PP/E E/E, P/PP/E E/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
 

Verwante Producten voor inventarislijst
 
2 duim Si-Additief n-Type Galliumarsenide wafeltje, SSP/DSP
LED/LD toepassingen
4 duim Si-Additief n-Type Galliumarsenide wafeltje, SSP/DSP
LED/LD toepassingen
6 duim Si-Additief n-Type Galliumarsenide wafeltje, SSP/DSP
LED/LD toepassingen
Arsenide van het 2 duim Undoped Gallium wafeltje, SSP/DSP
Micro-elektronicatoepassingen
Arsenide van het 4 duim Undoped Gallium wafeltje, SSP/DSP
Micro-elektronicatoepassingen
Arsenide van het 6 duim Undoped Gallium wafeltje, SSP/DSP
Micro-elektronicatoepassingen


Pakket & Levering
2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED 2
2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED 3
FAQ & CONTACT
   Dit is Eric Wang, afdelingschef van zmkj, ons die bedrijf in Shanghai, China wordt gevestigd. Onze de diensttijd is al tijd van Maandag - Zaterdag. Wij zijn droevig voor het ongemak door tijdverschil dat wordt veroorzaakt. Als om het even welke vragen, u mijn E-mail een bericht kunnen verlaten en ook mijn WeChat toevoegen, wat app is, Skype, ik online zal zijn. Welkom om me te contacteren!
 
Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant? A: Wij hebben ons voor wafeltje het vervaardigen.
 Q: Hoe lang is uw levertijd? A: Over het algemeen is het 1-5 dagen als de goederen in voorraad, als niet zijn, is het voor 2-3weeks
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of? A: Ja, konden wij vrije steekproef door één of andere grootte aanbieden.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden? A: voor de eerste zaken is 100% vóór levering.

Onze Dienst

                

1.Prompt levering: in 1-3 dagen.
2.Quality waarborg: Als om het even welke kwaliteitsproblemen, vrije vervanging zullen worden goedgekeurd.
3.Technical steun: 24 urentechnische ondersteuning per e-mail of het roepen
4.FAQ e-mailhulp: 2 uren in werkdag, 12 uren in weekend.
5.Covenient betaling.: Wij keuren de Bankoverdracht, L/C, Western Union, Paypal, Borg, enz. goed

1.How over de betaling?
 
 
 
 
 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 2“ van het de Halfgeleidersubstraat van N Semi Arsenide van het het Additiefgallium van Si GaAs DSP/SSP Wafeltje LD/LED kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.