• III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie
  • III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie
  • III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie
III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmkj
Modelnummer: GaN-FS-c-u-C50-SSP 2inch

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 10pcs
Prijs: 1200~2500usd/pc
Verpakking Details: enig wafeltjegeval door vacuümverpakking
Levertijd: 1-5weeks
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 50st per maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: GaN enig kristal Maat: 2inch
Dikte: 0.35mm Type: N-type/semi-type
Toepassing: De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat De groei: HVPE
Hoog licht:

gan wafeltje

,

Galliumarsenide Wafeltje

Productomschrijving

de substratenmalplaatje van 2inch GaN, GaN-wafeltje voor het Geleide, semiconducting Wafeltje van het Galliumnitride voor LD, GaN-malplaatje, mocvd GaN Wafeltje, Free-standing GaN-Substraten door Aangepaste grootte, het kleine wafeltje van groottegan voor leiden, mocvd wafeltje 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafeltje, Niet-polaire Freestanding GaN-Substraten van het Galliumnitride (a-vliegtuig en m-vliegtuig)

 

Het Kenmerk van het GaNwafeltje

  1. Iii-nitride (GaN, AlN, Herberg)

Het galliumnitride is één soort breed-Gap samenstellingshalfgeleiders. Van het galliumnitride (GaN) het substraat is

een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE-methode en technologie van de wafeltjeverwerking, die oorspronkelijk voor 10+years in China is ontwikkeld. De eigenschappen zijn hoge kristallijne, goede uniformiteit, en superieure oppervlaktekwaliteit. De GaNsubstraten worden gebruikt voor vele soorten toepassingen, voor witte leiden en LD (viooltje, het blauw en groen) Voorts is de ontwikkeling voor macht en hoge frequentie elektronische apparatentoepassingen gevorderd.

 

Verboden bandbreedte (het lichte uitzenden en absorptie) dekking het ultraviolet, het zichtbare licht en infrared.

 

2 Substratenspecificatie van duim Free-Standing GaN

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie 0

  n-type p-type Semi-insulating
n [cm-3] tot 1019 - -
p [cm-3] - tot 1018 -
p [cm-3] 10-3 - 10-2 102 - 103 109 - 1012
Î ¼ [cm2 /Vs] tot 150 - -
Totale Diktevariatie (TTV)/µm <40> <40> <40>
Bow/µm <10> <10> <10>
FWHM [arcsec] van Röntgenstraal schommelende kromme, epi-klaar oppervlakte, bij 100 de spleet van Î ¼ m x 100 Î ¼ m <20>
Dislocatiedichtheid [cm-2] <10>5
Misorientation/gr. Op bestelling
De oppervlakte eindigt Zoals gesneden/gemalen
Ruwweg opgepoetst
Optisch opgepoetst (epi-Klaar < 3="" nm=""> RMS (RMS < 0="">

Voordelen van deze Specificatie 

  Kleinere Kromming Minder Dislocaties Meer Elektrodragers
Lasers Hogere Opbrengsten Lager drempelvoltage Hogere macht
LEDs Betere efficiency (IQE)
Transistors Lagere lekkagestroom Hogere po

Toepassing:

GaN kan op vele gebieden zoals LEIDENE vertoning, High-energy Opsporing en Weergave worden gebruikt,
De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.

 

  • High-energy Opsporing met hoge frekwentie van Microgolfapparaten en veronderstelt
  • Nieuwe van de de waterstoftechnologie van energiesolor het Milieuopsporing en biologische geneeskunde
  • Lichtbron terahertz band
  • De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.-Datumopslag
  • Flavertoning van Energy-efficient verlichtings Volledige kleur
  • Het Hoge rendement Elektronische apparaten van laserprojecttions

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie 1

 

 

ONGEVEER ONZE OEM Fabriek

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie 2

 

Onze Factroy-Ondernemingsvisie
wij zullen hoogte - het substraat van kwaliteitsgan en toepassingstechnologie voor de industrie met onze fabriek verstrekken.
Hoog - de kwaliteit GaNmaterial is de beperkende factor voor de iii-Nitriden toepassing, b.v. met lange levensuur
en hoge stabiliteit LDs, hoge macht en de hoge apparaten van de betrouwbaarheidsmicrogolf, Hoge helderheid
en hoog rendement, energy-saving leiden.

- FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg

Q: Wat is de levertijd?
(1) voor de standaardproducten zoals het wafeltje van 2inch 0.33mm.
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 4 werkweken na orde.

Q: Hoe te betalen?
100%T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering.

Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-10pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af.

Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen ROHS-rapport leveren en rapporten voor onze producten bereiken.

 

Pakket 

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie 3

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.